圖片來(lái)源：攝圖網(wǎng)

來(lái)源：道達(dá)號(hào)（微信號(hào)：daoda1997）

各位老鐵，大家好，我是錢(qián)研君。每個(gè)周六，我都在公眾號(hào)“道達(dá)號(hào)”上發(fā)布最新的研究成果——錢(qián)瞻研報(bào)。

創(chuàng)業(yè)板又一周的逼空式上漲，不知道各位粉絲朋友習(xí)慣沒(méi)有，芯片引領(lǐng)的大科技概念可謂繼續(xù)燃爆A股，空中加油行情越演越烈，看著卓勝微、兆易創(chuàng)新、晶方科技等個(gè)股猛沖的走勢(shì)，不由地感嘆，太強(qiáng)了！

錢(qián)研君在寫(xiě)這期欄目時(shí)，突遇了兩件事，一是看到據(jù)報(bào)道稱(chēng)春節(jié)后股民平均盈利1.7萬(wàn)元左右，不知道達(dá)哥的粉絲朋友達(dá)到這個(gè)“及格線(xiàn)”沒(méi)，大家可以留言談?wù)?；二是本人又在加班加點(diǎn)地研究《股月奇談》的行業(yè)研究，感興趣的朋友可關(guān)注即將上線(xiàn)的《股月奇談》！

免責(zé)聲明：本文是從行業(yè)前瞻去挖掘價(jià)值信息，整合最熱研報(bào)主要觀(guān)點(diǎn)，文章提供的信息僅供參考，不涉及操作建議。據(jù)此入市，風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)！

進(jìn)入正題！這期直接上干貨，不閑談。

2020年2月13日小米10發(fā)布會(huì)上，小米發(fā)布了首款GaN充電器，支持100V至240V、50/60Hz全球電壓輸入。此則消息立即引爆了資金對(duì)GaN概念股的追捧。

要知道GaN（氮化鎵）也是第三代半導(dǎo)體的主要材料。近一年以來(lái)，圍繞半導(dǎo)體概念，資金追逐多么狂熱就無(wú)需贅述了。

去年華為投資同屬第三代半導(dǎo)體的主要材料SiC（碳化硅）企業(yè)時(shí)，相關(guān)概念股遭到爆炒，三安光電、揚(yáng)杰科技等股價(jià)走勢(shì)看看就足以震撼。

因此，如果錯(cuò)過(guò)了SiC概念，那么，GaN就應(yīng)該認(rèn)真對(duì)待，需要充分重視與研究。關(guān)注公眾號(hào)“道達(dá)號(hào)”，每周閱讀行業(yè)價(jià)值前瞻研報(bào)。

GaN如此多嬌

GaN如此多嬌，引無(wú)數(shù)企業(yè)競(jìng)折腰！

小米發(fā)布了首款GaN充電器，或許這僅僅只是開(kāi)始。錢(qián)研君留意到，周四、周五關(guān)于GaN的最新消息源源不斷，這里插播兩條勁爆的！

一、臺(tái)積電20日宣布，與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化鎵（GaN）產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⑹着鷺悠方唤o其主要客戶(hù)。臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體將合作加速氮化鎵制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并將分離式與整合式氮化鎵元件導(dǎo)入市場(chǎng)。透過(guò)此項(xiàng)合作，意法半導(dǎo)體將采用臺(tái)積電公司的氮化鎵制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)其氮化鎵產(chǎn)品。

二、據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng)，蘋(píng)果今年可能也會(huì)發(fā)布GaN充電器，該技術(shù)可以通過(guò)USB-C接口提供快速充電解決方案，并支持高達(dá)65瓦的快速充電。報(bào)道中提到，蘋(píng)果要推出GaN充電器，可以更好地支持多種蘋(píng)果設(shè)備，讓原本續(xù)航上的劣勢(shì)成為優(yōu)勢(shì)。

臺(tái)積電、蘋(píng)果，都是行業(yè)“大腕”！其實(shí)不僅僅是他們，據(jù)說(shuō)華為、三星、OPPO都在開(kāi)始布局GaN技術(shù)！

那么，GaN到底是一個(gè)怎樣的“黑材料”，讓眾多企業(yè)追逐呢？

簡(jiǎn)單科普一下：

GaN是新一代半導(dǎo)體材料，具有超強(qiáng)的導(dǎo)熱效率、耐高溫和耐酸堿等特點(diǎn)。作為承上啟下的新型寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度、電子飽和遷移速度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)和工作溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于Si（硅）和GaAs（砷化鎵），擁有類(lèi)似Sic性能優(yōu)勢(shì)的禁寬帶材料，但具備更大的成本控制潛力。

這里提及的Si和GaAs分別是第一代半導(dǎo)體材料和第二代半導(dǎo)體材料，這些材料普遍用于集成電路、電子信息網(wǎng)絡(luò)工程以及制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件等。

一句話(huà)就是，科技正更新、5G正到來(lái)，什么技術(shù)都需要升級(jí)，第三代半導(dǎo)體材料擁有更優(yōu)秀又穩(wěn)定的性能，肯定要替換一二代半導(dǎo)體材料，這是毋庸置疑的，所以，在新一輪科技革命中，他們的市場(chǎng)空間是可以預(yù)見(jiàn)的。關(guān)注公眾號(hào)“道達(dá)號(hào)”，每周閱讀行業(yè)價(jià)值前瞻研報(bào)。

GaN廣泛運(yùn)用三大領(lǐng)域

普及完GaN，下面來(lái)講下應(yīng)用。

GaN是一種III/V直接帶隙半導(dǎo)體，通常用于微波射頻、電力電子和光電子三大領(lǐng)域。具體而言，微波射頻方向包含了5G通信、雷達(dá)預(yù)警、衛(wèi)星通訊等應(yīng)用；電力電子方向包括了智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車(chē)、消費(fèi)電子等應(yīng)用；光電子方向包括了LED、激光器、光電探測(cè)器等應(yīng)用。

1、射頻：5G基站、雷達(dá)——GaN射頻器件大有可為

GaN在射頻市場(chǎng)更關(guān)注高功率、高頻率場(chǎng)景。由于GaN在高頻下具有較高的功率輸出和較小的面積，GaN已被射頻行業(yè)廣泛采用。

隨著5G到來(lái)，GaN在Sub-6GHz宏基站和毫米波（24GHz以上）小基站中找到一席之地。GaN射頻市場(chǎng)將從2018年的6.45億美元增長(zhǎng)到2024年的約20億美元，這主要受電信基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防兩個(gè)方向應(yīng)用推動(dòng)，衛(wèi)星通信、有線(xiàn)寬帶和射頻功率也做出了一定貢獻(xiàn)。

下圖就是GaN射頻器件在不同領(lǐng)域的市場(chǎng)規(guī)模，基本都是萬(wàn)億美元級(jí)別！關(guān)注公眾號(hào)“道達(dá)號(hào)”，每周閱讀行業(yè)價(jià)值前瞻研報(bào)。

2、電力電子：GaN推動(dòng)快充及汽車(chē)電子進(jìn)入小體積、高效率時(shí)代

這里只介紹快充！

GaN在未來(lái)幾年將在許多應(yīng)用中取代硅，其中，快充是第一個(gè)可以大規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用。在600伏特左右的電壓下，GaN在芯片面積、電路效率和開(kāi)關(guān)頻率方面的表現(xiàn)明顯好于硅，因此在壁式充電器中可以用GaN來(lái)替代硅。5G智能手機(jī)的屏幕越來(lái)越大，與之對(duì)應(yīng)的是手機(jī)續(xù)航的需求越來(lái)越高，這意味著電池容量的增加。GaN快充技術(shù)可以很好地解決大電池帶來(lái)的充電時(shí)長(zhǎng)問(wèn)題。

目前，在非常高的電壓、溫度和開(kāi)關(guān)頻率下，GaN與硅相比具有優(yōu)越的性能，可顯著提高能源效率。功率GaN于2018年中后期在售后市場(chǎng)中出現(xiàn)，主要是Anker、Aukey和RAVpower的24至65瓦充電器。

據(jù)Yole預(yù)測(cè)，受消費(fèi)者快速充電器應(yīng)用推動(dòng)，到2024年GaN電源市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)3.5億美元，CAGR為85%，有極大增長(zhǎng)空間。關(guān)注公眾號(hào)“道達(dá)號(hào)”，每周閱讀行業(yè)價(jià)值前瞻研報(bào)。

3、光電子：GaN低功耗、高發(fā)光效率為L(zhǎng)ED及紫外激光器助力

根據(jù)LEDinside發(fā)布的《2019深紫外線(xiàn)LED應(yīng)用市場(chǎng)報(bào)告》顯示，2018年全球UV LED市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2.99億美金，預(yù)計(jì)到2023年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)9.91億美金，2018-2023年CAGR達(dá)到27%。UV LED廣闊的發(fā)展前景正吸引越來(lái)越多的廠(chǎng)商進(jìn)入。

基于GaN半導(dǎo)體的深紫外發(fā)光二極管（LED）是紫外消毒光源的主流發(fā)展方向，其光源體積小、效率高、壽命長(zhǎng)，僅僅是拇指蓋大小的芯片模組，就可以發(fā)出比汞燈還要強(qiáng)的紫外光。

由于其具備LED冷光源的全部潛在優(yōu)勢(shì)，深紫外LED是公認(rèn)的未來(lái)替代紫外汞燈的綠色節(jié)能環(huán)保產(chǎn)品。但深紫外LED技術(shù)門(mén)檻很高，目前還是處于發(fā)展階段，在光功率、光效、壽命、成本等方面還有待提升。

近年來(lái)，深紫外LED的技術(shù)水平和芯片性能進(jìn)步很快，在一些高端領(lǐng)域已經(jīng)得到批量應(yīng)用，未來(lái)預(yù)計(jì)會(huì)得到更加廣泛的應(yīng)用。關(guān)注公眾號(hào)“道達(dá)號(hào)”，每周閱讀行業(yè)價(jià)值前瞻研報(bào)。

產(chǎn)業(yè)鏈重要公司一覽

很顯然，看了上面介紹，GaN半導(dǎo)體運(yùn)用真的是很廣，這次由小米快充引爆行業(yè)，那么就看看快充產(chǎn)業(yè)鏈到底有哪些公司，請(qǐng)看下圖：

很明顯，已經(jīng)布局GaN的只有三安光電。據(jù)了解，三安光電子公司三安集成，基于氮化鎵和砷化鎵技術(shù)經(jīng)營(yíng)業(yè)務(wù)，是一家專(zhuān)門(mén)從事化合物半導(dǎo)體制造的代工廠(chǎng)，服務(wù)于射頻、毫米波、功率電子和光學(xué)市場(chǎng)，具備襯底材料、外延生長(zhǎng)以及芯片制造的產(chǎn)業(yè)整合能力。

三安集成項(xiàng)目總規(guī)劃用地281畝，總投資額30億元，規(guī)劃產(chǎn)能為30萬(wàn)片/年GaAs 高速半導(dǎo)體外延片、30萬(wàn)片/年GaAs高速半導(dǎo)體芯片、6萬(wàn)片/年GaN高功率半導(dǎo)體外延片、6萬(wàn)片/年GaN高功率半導(dǎo)體芯片。關(guān)注公眾號(hào)“道達(dá)號(hào)”，每周閱讀行業(yè)價(jià)值前瞻研報(bào)。

官網(wǎng)顯示，三安集成在微波射頻領(lǐng)域已建成專(zhuān)業(yè)化、規(guī)?；?英寸、6英寸化合物晶圓制造產(chǎn)線(xiàn)，在電子電路領(lǐng)域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二極管及硅基氮化鎵功率器件。

那么，GaN產(chǎn)業(yè)鏈又是怎樣的情況，請(qǐng)看下圖：

涉及公司真的太多，就不再一一介紹，如圖顯示，可以看到比如最近走勢(shì)強(qiáng)勁的富滿(mǎn)電子、圣邦股份都在其列。關(guān)注公眾號(hào)“道達(dá)號(hào)”，每周閱讀行業(yè)價(jià)值前瞻研報(bào)。

風(fēng)險(xiǎn)提示：

1、疫情影響下，消費(fèi)者對(duì)于終端產(chǎn)品的購(gòu)買(mǎi)欲望降低；

2、5G基站建設(shè)速度減慢造成下游需求增長(zhǎng)不及預(yù)期；

3、宏觀(guān)經(jīng)濟(jì)下行壓力下，相關(guān)企業(yè)經(jīng)營(yíng)利潤(rùn)不及預(yù)期。

本期錢(qián)瞻研報(bào)的參考研報(bào)如下：

西南證券：電子：小米發(fā)布引爆市場(chǎng)，GaN有望高速增長(zhǎng)

中信建投：GaN行業(yè)深度：5G、快充、UVC，第三代半導(dǎo)體潮起

東吳證券：電子：GaN快充與Wifi 6的新趨勢(shì)

華西證券電子行業(yè)點(diǎn)評(píng)：GaN（氮化鎵）引爆消費(fèi)電子快充市場(chǎng)

（本文內(nèi)容僅供參考，不作為投資依據(jù)，據(jù)此入市，風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)）